破局5G新基建关键应用之5G如何为智能电网“充电”？

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f，新基位错运动的阻力系数，新基由位错速度与剪应力斜率的倒数确定.©2023SpringerNatureLimited五、成果启示大量的温和小剪切带和平面滑移带可以提供可控的塑性流动，不像严重的失稳的剪切带那样破坏塑性。建关键红色曲线和蓝色曲线分别是时效合金和WQ-T50合金原子应变概率密度结果的高斯拟合。

g，为智网充两个HEAs中LCO区域的面积分数。近些年，破局bcc高温高熵结构材料逐渐被开发，这些材料尽管有高达1GPa的强度，但是塑性却非常的低，严重限制了其应用。其中，新基dbcc为正常bcc晶格中{001}面的间距，dLCO为额外LCO对应的间距。

a,b，建关键分别为5%应变时效T50位错通道内外的原子结构。c(i)和d(i)是两个HEAs的HAADF晶格图像，为智网充插图是相应的FFT图案，黄色实圆标记LCOs产生的额外衍射点，蓝色实圆标记bcc矩阵的Braggs点。

i，破局在不同应变下发生明显塑性变形的面积分数F(%)。

新基©2023SpringerNatureLimited图4塑性变形对T50HEAs结构性能的影响。提供两款配色，建关键底盖融入黑胶唱片元素。

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